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书 书 书犐犆犛 29 . 045 犎 80 中华人民共和国国家标准 犌犅 / 犜 14141 — 2009 代替 GB / T14141 — 1993 硅外延层 、 扩散层和离子注入层 薄层电阻的测定   直排四探针法 犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉狊犺犲犲狋狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲狅犳狊犻犾犻犮狅狀犲狆犻狋犪狓犻犪犾 , 犱犻犳犳狌狊犲犱犪狀犱犻狅狀犻犿狆犾犪狀狋犲犱犾犪狔犲狉狊狌狊犻狀犵犪犮狅犾犾犻狀犲犪狉犳狅狌狉狆狉狅犫犲犪狉狉犪狔 2009  10  30 发布 2010  06  01 实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 书 书 书前    言    本标准代替 GB / T14141 — 1993 《 硅外延层 、 扩散层和离子注入层薄层电阻的测定   直排四探 针法 》。 本标准与 GB / T14141 — 1993 相比 , 主要有如下改动 : ——— 修改了被测薄层电阻的最小直径 ( 由 10.0mm 改为 15.9mm )、 薄层电阻阻值的测量范围及 精度 ; ——— 增加了规范性引用文件 ; ——— 增加了引入与试样几何形状有关的修正因子计算薄层电阻 ; ——— 增加了干扰因素 ; ——— 删除了三氯乙烯试剂 ; ——— 修改了薄层电阻范围 , 增加了 “ 直流输入阻抗不小于 10 9 Ω ”; ——— 删除了三氯乙烯漂洗 ; ——— 修改仲裁测量探针间距 , 由 1mm 改为 1.59mm ; ——— 增加了修正因子和温度修正系数表格 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 ( SAC / TC203 ) 提出 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口 。 本标准起草单位 : 宁波立立电子股份有限公司 、 南京国盛电子有限公司 、 信息产业部专用材料质量 监督检验中心 。 本标准主要起草人 : 李慎重 、 许峰 、 刘培东 、 谌攀 、 马林宝 、 何秀坤 。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 : ——— GB / T14141 — 1993 。 Ⅰ 犌犅 / 犜 14141 — 2009

.pdf文档 GB-T 14141-2009 硅外延层 扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

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