ICS29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T26065—2010 硅 单晶抛光试验片规范 Specificationforpolishedtestsiliconwafers 2011-01-10发布 2011-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司。 本标准主要起草人:宫龙飞、何良恩、许峰、黄笑容、刘培东、王飞尧。 ⅠGB/T26065—2010 硅单晶抛光试验片规范 1 范围 1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。 1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8mm~300mm所有 标准直径的硅抛光试验片技术要求。 1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格,如:颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控 片等,参见SEMI24《硅单晶优质抛光片规范》。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 SEMI24 硅单晶优质抛光片规范 ASTMF1526 表面金属含量测量 3 术语和定义 GB/T14264中界定的术语和定义适用于本文件。 1GB/T26065—2010 4 要求 4.1 产品分类 根据硅片直径大小将硅单晶抛光试验片划分为:小直径硅片和大直径硅片。其中,小直径硅片分 A、B、C三个级别;大直径硅片分机械试验片和工艺试验片。另外,本标准还定义了线宽为0.18μm或 0.13μm的200mm和300mm硅试验片规范,具体分类如表1所示。 表1 硅单晶抛光试验片分类 项目 小直径硅片 大直径硅片 直径范围/mm ≤125 ≥150 产品类别 A级、B级、C级机械试验片工艺试验片 0.18μm或0.13μm线宽的200mm和 300mm硅试验片 4.2 小直径硅抛光试验片规格 A级、B级和C级硅抛光试验片必须包含表2中列出的各项规格项目,表3为小直径硅单晶抛光试 验片详细规范要求。 表2 小直径硅单晶抛光片分类及必须包含规格项目列表 等级生长方法直径晶向厚度取向基准边缘轮廓表面沾污表面缺陷导电类型掺杂剂电阻率 A级√ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ B级√ √ √ √ √ √ √ √ — — — C级√ √ √ √ √ √ — — — — — 注:“√”表示硅单晶抛光试验片中必须包含的规格项目,“—”表示该试验片可以不包含的规格项目。 表3 小直径硅单晶抛光试验片规范 项 目技术要求 A级 B级 C级 1.0一般特性 1.1生长方法 用户规定 用户规定 用户规定 1.2晶向 用户规定 用户规定 用户规定 1.3导电类型 用户规定 不规定 不规定 1.4掺杂剂 用户规定 不规定 不规定 1.5FQA、边缘去除距离 不规定 不规定 不规定 2.0电学特性 2.1电阻率 用户规定 用户规定 用户规定 2.2径向电阻率变化(RRG) 可选 可选 可选 2GB/T26065—2010