ICS 29. 045 H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T 24577—2009 热解吸气相色谱法测定 硅片表面的有机污染物 Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography 2009-10-30 发布 2010-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 24577--2009 前言 本标准对 SEMI MF 1982-1103格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录 B中列出了本标准 章条和SEMIMF1982-1103章条对照一览表。并对SEMIMF1982-1103条款的修改处用垂直单线标 识在它们所涉及的条款的页边空白处。 本标准与SEMIMF1389-0704相比，主要技术差异如下： 去掉了“目的”、“关键词”； 将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中 的精度和偏差部分作为资料性附录A。 本标准的附录 A,附录 B为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研 究所。 本标准主要起草人：王奕、褚连青、李静。 GB/T 24577—2009 热解吸气相色谱法测定 硅片表面的有机污染物 1 范围 1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两 者同时采用。 1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。 1.3本标准的检测限范围取决于被检测的有机化合物，比如碳氢化合物(Cg～C28）的检测范围就是 10-12 g/cm²~10-° g/cm²。 1. 4本标准适用于硅抛光片和有氧化层的硅片。 1.5本标准中包含了两种方法。方法A适用于切割后的硅片，方法B则适用于完整的硅片。两种方 法的不同点在第7部分中有详细描述。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 ASTMD6196吸附剂的选择和取样/热解吸分析程序检测空气中的挥发性有机物 3术语、定义和缩略语 下列术语和定义及缩略语适用于本标准。 3.1术语和定义 3. 1. 1 空白晶片blankwafer 一片经过热处理但未吸收任何有机污染物的硅片。 3.2缩略语 AED——atomic emission detector原子发射检测器 C16——n-hexadecane,n-Ci H34正十六烷 -flame ionization detector火焰离子化检测器 FID— FPD -flame photometric detector火焰光度检测器 GC-gas chromatography 气相色谱 MS- mass spectrometer 质谱 NPD-nitrogen/phosphorus thermionic ionization detector 氮磷检测器 TBP -tributy phosphate,(C, H,O); PO 磷酸三丁酯 -tris(2-chloroethyl)phosphate,(ClCH2CH2O);PO 磷酸三(2-氯乙基)酯 TCEP TD-thermal desorption 热解吸 1