GB-T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

ICS 29.045 H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T14144—2009 代替GB/T14144—1993 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon 2009-10-30发布 2010-06-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会数码防伪 GB/T14144—2009 前言本标准修改采用SEMIMF1188-1105《用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法》。本标准与SEMIMF1188-1105相比，主要有如下不同：增加了测量点选取方案；标准编写按GB/T1.1格式，部分SEMI标准中的章节进行了合并和整理。本标准代替GB/T14144-1993《硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》。本标准与原标准相比，主要有如下变化：氧含量测量范围进行了修订； -增加了“测量仪器”、“术语”和“干扰因素”章节； -增加了采用经认证的硅中氧含量标准物质对光谱仪进行校准的内容； -将原标准中“本标准适用于室温电阻率大于0.12·cm的硅晶体”改为“本标准适用于室温电样品厚度范围修改为"0.04cm~0.4cm”。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。本标准主要起草人：杨旭、江莉。本标准所代替标准的历次版本发布情况为： -GB/T14144—1993。 I

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本文档由人生无常于 2024-06-20 15:37:41上传分享