(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210992145.9 (22)申请日 2022.08.18 (71)申请人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公 司 地址 312000 浙江省绍兴 市越城区皋埠 街 道临江路518号 (72)发明人 张婷　朱军号　徐源　李功伟　 许清秀　罗昌平　 (74)专利代理 机构 绍兴市知衡专利代理事务所 (普通合伙) 33277 专利代理师 邓爱民 (51)Int.Cl. G01N 1/32(2006.01) G01R 31/26(2014.01) B08B 3/08(2006.01)B08B 3/12(2006.01) B08B 3/02(2006.01) (54)发明名称 一种塑封 器件的开封方法 (57)摘要 本发明涉及一种塑封器件的开封方法， 该方 法包括： 提供塑封器件； 提供第一化学腐蚀液并 加热至第一预设温度； 将塑封器件浸入被加热的 第一化学腐蚀液中， 以至塑封器件开封。 本发明 通过将待开封的塑封器件完全浸入被加热的第 一化学腐蚀液中， 使 得塑封器件外部的封装体各 处与第一化学腐蚀液的反应速率均相同， 同时被 加热的第一化学腐蚀液大大加快腐蚀反应速率， 使得塑封器件的封装层被快速腐蚀开封， 使内部 打线与芯片可以暴露出来的同时保证芯片功能 的完整无损， 以便进一步的形貌观 察及电性测试 等； 另外， 本发明的开封方法也适用于砷化镓衬 底的半导体器件， 能够避免开封过程对砷化镓衬 底造成腐蚀。 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 CN 115436142 A 2022.12.06 CN 115436142 A 1.一种塑封器件的开封方法， 其特 征在于， 包括： 提供塑封器件； 提供第一 化学腐蚀液并加热至第一预设温度； 将所述塑封器件完全 浸入被加热的所述第一 化学腐蚀液中， 以至所述塑封器件开封 。 2.根据权利要求1所述的一种塑封器件的开封方法， 其特征在于， 所述开封方法还包 括： 从所述第一 化学腐蚀液中取 出所述塑封器件， 然后对所述塑封器件进行第一次清洗； 将第一次清洗后的所述塑封器件浸入第二化学腐蚀液中，  从所述第二化学腐蚀液中 取出所述塑封器件， 然后对所述塑封器件进行第二次清洗 。 3.根据权利要求1所述的一种塑封器件的开封方法， 其特征在于： 所述第 一化学腐蚀液 包括发烟硝酸和浓 硫酸。 4.根据权利要求3所述的一种塑封器件的开封方法， 其特征在于： 所述第 一化学腐蚀液 中， 发烟硝酸与浓 硫酸的体积比为 （4.7～5.3） ∶ （2.7～3.3） 。 5.根据权利要求1所述的一种塑封器件的开封方法， 其特征在于： 所述第 一预设温度为 170℃～3 50℃。 6.根据权利要求2所述的一种塑封器件的开封方法， 其特征在于： 所述塑封器件浸入所 述第二化学腐蚀液之前， 还包括： 将所述第二化学腐蚀液加热至第二预设温度， 第二预设温 度为170℃～3 50℃。 7.根据权利要求2所述的一种塑封器件的开封方法， 其特征在于： 所述第 二化学腐蚀液 包括乙二胺。 8.根据权利要求7所述的一种塑封器件的开封方法， 其特征在于： 所述塑封器件浸入所 述乙二胺中进行超声清洗 。 9.根据权利要求1 ‑8任一项所述的一种塑封器件的开封方法， 其特 征在于： 所述第一次清洗包括采用清洗液冲洗； 所述第二次清洗包括采用清洗液超声清洗 。 10.根据权利要求9所述的一种塑封器件的开封方法， 其特征在于： 所述清洗液包括水 和/或丙酮。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115436142 A 2一种塑封器件的开封方 法 技术领域 [0001]本发明涉及半导体技 术领域， 具体是指一种塑封器件的开封方法。 背景技术 [0002]半导体器件包括内部 的芯片、 金属引线以及外部 的环氧树脂封装体， 在实际工作 中半导体器件会偶发失效故障， 需要对失效样品进 行分析， 查找引发失效的原因。 在失效分 析过程中， 需要对半导体器件外部的封装体进行开封处理， 令内部的器件区 （芯片和引线） 外露。 [0003]常用于半导体器件的开封方法有机械开封、 化学开封、 激光开封等， 机械开封和激 光开封常常结合化学开封使用。 因现有半导体器件内部的金属引线多为铜线， 采用化学腐 蚀液 （通常为 发烟硝酸或发烟硝酸与浓硫酸的混合酸） 对塑封器件解封过程中， 很容易出现 过腐蚀情况， 进而造成 内部的铜引线难以保留完整。 为更好的控制化学腐蚀过程， 现有开封 方法中先利用激光对封装体开槽， 然后将化学腐蚀液滴入槽中， 腐蚀过程中通过加热板对 待开封器件底部进行加热， 待芯片完全外露后进行清洗及烘干处 理。 [0004]但发明人发现这种滴 酸腐蚀的方式存在以下问题： 问题1： 待开封器件仅底部被加热， 滴落下来的化学腐蚀液温度较低， 与封装体接 触腐蚀反应速度慢， 开封处 理耗时较长； 问题2： 每次滴落的化学腐蚀液量少， 需要多次滴酸操作， 封装体不 同位置与化学 腐蚀液接触量的多少及反应温度会 存在差异， 难以保证封装体腐蚀的均匀性。 发明内容 [0005]本发明公开一种 塑封器件的开封方法， 不仅适用于硅衬底的半导体器件， 尤其适 用于砷化镓衬底的半导体器件， 能够保留完好的器件区结构 （芯片及内部金属引线框架的 完整性） 的同时， 还不会 对砷化镓衬底造成腐蚀。 [0006]为了实现上述目的， 本发明所采用的技 术方案为： 一种塑封器件的开封方法， 包括： 提供塑封器件； 提供第一 化学腐蚀液并加热至第一预设温度； 将所述塑封器件完全浸入被加热的所述第一化学腐蚀液中， 以至所述塑封器件开 封。 [0007]进一步， 所述开封方法还包括： 从所述第一化学腐蚀液中取出所述塑封器件， 然后 对所述塑封器件进行第一次清洗； 将第一次清洗后的所述塑封器件浸入第二化学腐蚀液中， 从所述第二化学腐蚀液 中取出所述塑封器件， 然后对所述塑封器件进行第二次清洗 。 [0008]进一步， 所述第一 化学腐蚀液包括发烟硝酸和浓 硫酸。 [0009]进一步， 所述第一化学腐蚀液中， 发烟硝酸与浓硫酸的体积比为 （4.7～5.3） ∶ （2.7说　明　书 1/6 页 3 CN 115436142 A 3