(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210585889.9 (22)申请日 2022.05.27 (71)申请人 深圳市奥伦 德元器件 有限公司 地址 518100 广东省深圳市龙岗区龙城街 道黄阁路天安数码创业园1号厂房B座 3楼 (72)发明人 陈景辉　邱晨　林士修　何畏　 吴质朴　 (74)专利代理 机构 广州嘉权专利商标事务所有 限公司 4 4205 专利代理师 麦广林 (51)Int.Cl. B24B 27/06(2006.01) B24B 51/00(2006.01) B23K 26/362(2014.01)B23K 26/70(2014.01) (54)发明名称 芯片划片方法、 设备、 控制器及计算机可读 存储介质 (57)摘要 本发明公开了一种芯片划片方法、 设备、 控 制器及计算机可读存储介质， 芯片划片方法包括 获取初级晶圆； 对初级晶圆的正面作正面激光切 割处理， 得到二级晶圆， 二级晶圆带有正面激光 划痕； 基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背 面激光切割处理， 以使二级晶圆带有与正面激光 划痕对应的背面激光划痕， 得到三级晶圆； 基于 背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处 理； 对三级晶圆作裂片处理， 得到最终芯片。 在划 片过程中大大减少外力对晶圆造成的影 响， 避免 内部应力延键结合力较弱的地方裂开导致晶圆 正面和背面出现崩缺现象， 避免了由于晶圆正面 和背面激光不重刀问题导致芯片边长大小不均 等的现象， 提高产品生产良率， 降低生产成本和 时间。 权利要求书2页 说明书7页 附图3页 CN 114986358 A 2022.09.02 CN 114986358 A 1.一种芯片划片方法， 其特 征在于， 包括： 获取初级晶圆； 对所述初级晶圆的正面作正面激光切割处理， 得到二级晶圆， 所述二级晶圆带有正面 激光划痕； 基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理， 以使所述二级晶 圆带有与所述 正面激光划痕对应的背面激光划痕， 得到三级晶圆； 基于所述背面激光划痕对所述 三级晶圆的背面作砂轮切割处 理； 对所述三级晶圆作裂片处 理， 得到最终芯片。 2.根据权利要求1所述的芯片划片方法， 其特征在于， 在所述对所述初级晶圆的正面作 正面激光切割处 理， 得到二级晶圆之前， 还 包括： 对所述初级晶圆的背面作贴膜处 理,对所述初级晶圆的正 面作保护层处 理。 3.根据权利要求2所述的芯片划片方法， 其特 征在于， 所述保护层处 理包括： 在所述初级晶圆的正 面涂抹第一厚度的保护液； 将涂抹保护液后的初级晶圆放置风干， 在所述初级晶圆的正 面形成保护层。 4.根据权利要求1所述的芯片划片方法， 其特征在于， 所述基于所述正面激光划痕对所 述二级晶圆的背面作激光切割处 理， 包括： 对所述二级晶圆的正 面作贴膜处 理后翻转所述 二级晶圆； 通过检测设备对所述 正面激光划痕作检测处 理， 得到检测结果； 基于所述检测结果调整所述二级晶圆的位置并对所述二级晶圆的背面作背面激光切 割处理。 5.根据权利要求3所述芯片划片方法， 其特征在于， 在所述基于所述正面激光划痕对所 述二级晶圆的背面作背面激光切割处 理之前， 还 包括： 对所述二级晶圆正 面的保护层做 清除处理。 6.根据权利要求1至5中任意一项所述的芯片划片方法， 其特征在于， 所述正面激光切 割处理的深度为所述初级晶圆厚度的五分之一。 7.根据权利要求1至5中任意一项所述的芯片划片方法， 其特征在于， 所述背面激光切 割处理的深度为所述初级晶圆厚度的三分之一。 8.一种芯片划片设备， 其特 征在于， 包括： 晶圆拾取机构， 用于获取初级晶圆； 激光切割机构， 用于对所述初级晶圆的正面作正面激光切割处理， 得到二级晶圆， 所述 二级晶圆带有正面激光划痕， 和基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作背面激光 切割处理， 以使所述二级晶圆带有与所述正面激光划痕对应的背面激光划痕， 得到三级晶 圆； 砂轮切割机构， 用于基于所述背面激光划痕对所述 三级晶圆的背面作砂轮切割处 理； 裂片机构， 用于对所述 三级晶圆作裂片处 理， 得到最终芯片。 9.一种控制器， 其特征在于， 包括： 存储器、 处理器及存储在所述存储器上并可在所述 处理器上运行的计算机程序， 所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7中任 意一项所述的芯片划片方法。 10.一种计算机可读存储介质， 其特征在于， 所述计算机可读存储介质存储有计算机可权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114986358 A 2执行指令， 所述计算机可执行指 令用于使计算机执行如权利要求 1至7中任意一项 所述的芯 片划片方法。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114986358 A 3