(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210573490.9 (22)申请日 2022.05.25 (71)申请人 合肥升滕半导体技 术有限公司 地址 230000 安徽省合肥市新站区新蚌埠 路与谷河路交口佳海工业城G区3 3号 (72)发明人 许杰　 (74)专利代理 机构 北京众允专利代理有限公司 11803 专利代理师 王景禾 (51)Int.Cl. B08B 3/08(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 7/00(2006.01) B08B 3/12(2006.01) B08B 1/00(2006.01)F26B 23/00(2006.01) F26B 21/00(2006.01) (54)发明名称 一种适用 于干刻工艺的碳化硅部件的清洗 方法 (57)摘要 本发明公开了一种适用于干刻工艺的碳化 硅部件的清洗方法， 涉及碳化硅部件清洗技术领 域。 包括以下步骤： S1、 遮蔽处理； S2、 有机浸泡； S3、 有机擦拭； S4、 去遮蔽； S5、 水洗操作； S6、 干冰 操作； S7、 CDA吹干； S8、 检测处理； S9、 超声处理； S10、 烘干处理。 该适用于干刻工艺的碳化硅部件 的清洗方法， 本发明通过对碳化硅部件进行遮 蔽、 有机浸泡、 有机擦拭、 去遮蔽、 水洗操作、 干冰 操作、 CDA吹干以及 烘干操作， 实现对碳化硅部件 的表面、 孔内及螺纹处进行清洗， 进而便于去除 沉积物以及附着的膜， 便于实现适用于干刻工艺 的碳化硅部件的清洗； 本发明清洗方法改善了以 往繁琐清洗的方式， 本发明清洗方法清洗效果好 以及方便 工作人员的操作。 权利要求书1页 说明书7页 附图1页 CN 114985366 A 2022.09.02 CN 114985366 A 1.一种适用于 干刻工艺的碳 化硅部件的清洗方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： S1、 遮蔽处 理： 将碳化硅部件进行自检后， 对其螺纹区域进行遮蔽处 理； S2、 有机浸泡： 将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮、 异丙醇的一种或 者两种的浸泡液中进行浸泡处 理； S3、 有机擦拭： 将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用丙酮、 异丙醇的一种或 者两种的混合液进行蘸取擦拭； S4、 去遮蔽： 将步骤S3中擦拭后的碳 化硅部件自检合格后， 将遮蔽胶带去除； S5、 水洗操作： 利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗， 将有机物及颗粒物冲洗 干净； S6、 干冰操作： 利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、 孔 内及螺纹处进行物 理清洗， 进一 步去膜彻底； S7、 CDA吹干： 将步骤S6中去膜后的碳 化硅部件进行吹干操作； S8、 检测处 理： 对步骤S7中吹干后的碳 化硅部件进行外观检测； S9、 超声处 理： 将步骤S 8中检测处 理后的碳 化硅部件进行超声水洗研磨处 理； S10、 烘干处 理： 将步骤S9中超声水洗后的碳 化硅部件在烤箱中 高温烘烤操作。 2.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法， 其特征在于， 所述步骤S1中的遮蔽处 理采用热 熔遮蔽胶带遮蔽。 3.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法， 其特征在于， 所述步骤S2中浸泡液的时间为3 0‑60min， 浸泡的温度为常温。 4.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法， 其特征在于， 所述步骤S3中采用百洁布进行擦拭处 理。 5.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法， 其特征在于， 所述步骤S5中水洗水枪采用3 0～100Mpa进行冲洗4～6mi n， 距离为3 0～70cm。 6.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法， 其特征在于， 所述步骤S6中干冰的距离为3 00～500mm， 速度为5 00～1500mm/S， 压力为2.5～5kg。 7.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法， 其特征在于， 所述步骤S8中碳化硅部件的外观检测为无异 物残留、 无异色以及无磕碰 。 8.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法， 其特征在于， 所述步骤S9中的超声水洗的时间为5～10mi n， 超声的频率 为20KHZ～10 0KHZ。 9.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法， 其特征在于， 所述步骤S10中的烘干为在90～15 0℃的烤箱内烘烤1～3 H。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114985366 A 2一种适用于干刻工艺的碳 化硅部件的清洗方 法 技术领域 [0001]本发明涉及 碳化硅部件清洗技术领域， 具体为一种适用于干刻工艺的碳化硅部件 的清洗方法。 背景技术 [0002]碳化硅部件用于制造IC(集成电路)的干刻中的工艺腔体中， 碳化硅部件产品具有 较高的抗氧化性、 化学稳定性和耐热性， 具备在2000度高温时也可保持稳定的优良特性， 它 们被广泛地应用于半导体材料 的制造过程中需要的晶圆舟、 管和代替硅片的仿真晶圆， 也 广泛运用于高温时使用的夹具产品。 在半导体生产设备、 汽车领域、 能源领域等领域有广泛 应用， 干刻工艺是将特定气体置于低压状态下施以电压， 将其激发成plasma， 对特定膜层加 以化学刻蚀和等离子轰击， 达到去膜的一种去膜刻蚀方式， 碳化硅由于化学性能稳定、 导热 系数高、 热膨胀系数小、 耐磨性能好， 耐腐蚀性能佳的特性。 其在干刻工艺腔体内对其损耗 极小， 极大的降低了运营成本 。 [0003]由于干刻工艺对碳化硅部件膜层的腐蚀及 其气体的沉积， 会在部件表面形成沉积 物， 故须对其定期进行膜层的去除， 不然会影响工艺运作， 而且高效的清洗工艺尤为重要， 为此， 我们提出了一种适用于 干刻工艺的碳 化硅部件的清洗方法来 解决上述问题。 发明内容 [0004]针对现有技术的不足， 本发明提供了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方 法， 以解决上述背景技 术中提出的问题。 [0005]为实现上述目的， 本发明提供如下技术方案： 一种适用于干刻工艺的碳化硅部件 的清洗方法， 包括以下步骤： [0006]S1、 遮蔽处 理： 将碳化硅部件进行自检后， 对其螺纹区域进行遮蔽处 理； [0007]S2、 有机浸泡： 将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮、 异丙 醇的一 种或者两种的浸泡液中进行浸泡处 理； [0008]S3、 有机擦拭： 将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出 并采用丙酮、 异丙 醇的一 种或者两种的混合液进行蘸取擦拭； [0009]S4、 去遮蔽： 将步骤S3中擦拭后的碳 化硅部件自检合格后， 将遮蔽胶带去除； [0010]S5、 水洗操作： 利用水洗水枪将 步骤S4中碳化硅部件全部冲洗， 将有机物及颗粒物 冲洗干净； [0011]S6、 干冰操作： 利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、 孔内及 螺纹处进 行物理清洗， 进一 步去膜彻底； [0012]S7、 CDA吹干： 将步骤S6中去膜后的碳 化硅部件进行吹干操作； [0013]S8、 检测处 理： 对步骤S7中吹干后的碳 化硅部件进行外观检测； [0014]S9、 超声处 理： 将步骤S 8中检测处 理后的碳 化硅部件进行超声水洗研磨处 理； [0015]S10、 烘干处 理： 将步骤S9中超声水洗后的碳 化硅部件在烤箱中 高温烘烤操作。说　明　书 1/7 页 3 CN 114985366 A 3